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Référence fabricant
NCD5705BDR2G
High Current IGBT Gate Drivers
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NCD5705BDR2G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NCD5705BDR2G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--analog--drivers--mosfet-igbt-drivers/ncd5705bdr2g-onsemi-5128556
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onsemi NCD5705BDR2G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Configuration: | High or Low Side |
| No of Outputs: | Single |
| Peak Output Current: | 7.8A |
| Supply Voltage-Max: | 20V |
| Rated Power Dissipation: | 0.7W |
| Quiescent Current: | 0.9mA |
| Turn-off Delay Time: | 54ns |
| Turn-on Delay Time: | 59ns |
| Rise Time: | 9.2ns |
| Fall Time: | 7.9ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +125°C |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.60
5 000+
$0.585
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount