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onsemi | FDA28N50

Référence fabricant

FDA28N50

N-Channel 500 V 0.155 Ω 105 nC Flange Mount UniFET Mosfet - TO-3PN

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDA28N50 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500V
Drain-Source On Resistance-Max: 155mΩ
Rated Power Dissipation: 310|W
Qg Gate Charge: 80nC
Style d'emballage :  TO-3PN
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The FDA28N50 is a part of FDA28N50 Series 500 V 0.155 Ω N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology

This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

Features:

  • RDS(on) = 0.122 Ω ( Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 14 A
  • Low gate charge ( Typ. 80nC)
  • Low Crss ( Typ. 42 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
  • RoHS compliant

Applications:

  • High efficient S.M.P.S
  • Active power factor correction
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
22 Semaines
Commande minimale :
450
Multiples de :
450
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 561,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
450
$3.47
900
$3.45
1 350
$3.43
1 800
$3.42
2 250+
$3.38
Product Variant Information section