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Référence fabricant
FDA28N50
N-Channel 500 V 0.155 Ω 105 nC Flange Mount UniFET Mosfet - TO-3PN
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-3PN Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDA28N50 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDA28N50&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fda28n50-onsemi-8015517
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onsemi FDA28N50 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 155mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 310|W |
| Qg Gate Charge: | 80nC |
| Style d'emballage : | TO-3PN |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDA28N50 is a part of FDA28N50 Series 500 V 0.155 Ω N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology
This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
Features:
- RDS(on) = 0.122 Ω ( Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 14 A
- Low gate charge ( Typ. 80nC)
- Low Crss ( Typ. 42 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- RoHS compliant
Applications:
- High efficient S.M.P.S
- Active power factor correction
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-3PN
Méthode de montage :
Flange Mount