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Référence fabricant

FDB33N25TM

Single N-Channel 250 V 235 W 48 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2434
Product Specification Section
onsemi FDB33N25TM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 250V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.094Ω
Rated Power Dissipation: 235W
Qg Gate Charge: 48nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 33A
Turn-on Delay Time: 35ns
Turn-off Delay Time: 75ns
Rise Time: 470ns
Fall Time: 250ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5V
Technology: Si
Height - Max: 4.83mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 1640pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
880,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.10
1 600
$1.09
2 400
$1.08
4 000+
$1.07
Product Variant Information section