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onsemi | FDC2612

Référence fabricant

FDC2612

N-Channel 200 V 725 mohm PowerTrench Mosfet SSOT-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDC2612 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 725mΩ
Rated Power Dissipation: 0.8|W
Qg Gate Charge: 8nC
Style d'emballage :  SSOT-6
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDC2612 is a N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Its available in SSOT-6 Package

It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed

Product Features :

  • 1.1 A, 200V
  • RDS(on) = 725 mΩ@ VGS = 10 V
  • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
  • High power and current handling capability
  • Fast switching speed
  • Low gate charge (8nC typical)

Applications :

  • AC-DC Merchant Power Supply - Video game console, flat Panel TV, DVR, STB
  • Wireless LAN Access
  • Mobile Comm Infrastructure
  • Notebook PC
  • Medical Electronics/Devices
  • Wireless LAN Access Point/Router
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
30 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
2 145,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.715
6 000
$0.705
9 000+
$0.695
Product Variant Information section