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Référence fabricant
FDD10AN06A0
N-Channel 60 V 10.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252AA Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2509 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDD10AN06A0 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDD10AN06A0&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdd10an06a0-onsemi-1086776
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onsemi FDD10AN06A0 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 135|W |
| Qg Gate Charge: | 37nC |
| Style d'emballage : | TO-252AA |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDD10AN06A0 is a 60 V 10.5 mΩ N-Channel PowerTrench Mosfet available in TO-252AA Package .
Features:
- rDS(ON) = 9.4mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 50A
- Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
- Qualified to AEC Q101Formerly developmental type 82560
Applications:
- Motor / Body Load Control
- ABS Systems
- Powertrain Management
- Injection Systems
- DC-DC converters and Off-line UPS
- Distributed Power Architectures and VRMs
- Primary Switch for 12V and 24V systems
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.955
5 000
$0.945
7 500+
$0.93
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount