Référence fabricant
FDMC2610
220V,9.5A,220 OHMS,NCH ULTRAFET TRENCH MOSFET
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :MLP-3.3x3.3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDMC2610 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi FDMC2610 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 200mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 12.3nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2.2A |
| Turn-on Delay Time: | 17ns |
| Turn-off Delay Time: | 29ns |
| Rise Time: | 13ns |
| Fall Time: | 16ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.2V |
| Technology: | PowerTrench |
| Input Capacitance: | 720pF |
| Style d'emballage : | MLP-3.3x3.3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMC2610 series N-channel Mosfet is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications.
Features:
- Max rDS(on) = 200 mO at VGS = 10 V, ID = 2.2 A
- Max rDS(on) = 215 mO at VGS = 6 V, ID = 1.5 A
- Low Profile - 1 mm max in a Power 33
- RoHS Compliant
Applications:
- DC - DC Conversion
View the complete FDMC2x series UltraFET Trench Mosfet
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$1.15
6 000+
$1.14
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
MLP-3.3x3.3
Méthode de montage :
Surface Mount