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Référence fabricant
FDPF18N50
N-Channel 500 V 0.265 Ω Through Hole Mosfet TO-220F
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDPF18N50 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDPF18N50&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdpf18n50-onsemi-8444028
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onsemi FDPF18N50 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 265mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 38.5|W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDPF18N50 is a 500 V 0.265 Ω N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
Features:
- 18 A, 500 V, RDS(on) = 0.265 Ω @VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 45 nC)
- Low Crss ( typical 25 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Applications:
- High efficent S.M.P.S
- Active power factor correction
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Flange Mount