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Référence fabricant
KIT_CMOS7_G6_SIC_DIODE
Coolmos7 + Gen6 SiC Diode sample box for customer go-wider
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-268 (D3PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 1818 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon KIT_CMOS7_G6_SIC_DIODE - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=KIT_CMOS7_G6_SIC_DIODE&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/kit-cmos7-g6-sic-diode-infineon-6153652
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Infineon KIT_CMOS7_G6_SIC_DIODE - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1000W |
| Qg Gate Charge: | 430nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 320A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | TrenchMOS |
| Input Capacitance: | 26µF |
| Series: | TrenchT2TM HiperFETTM |
| Style d'emballage : | TO-268 (D3PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3
États-Unis:
3
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$367.50
3
$361.76
5
$359.12
10
$355.56
20+
$350.00
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-268 (D3PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount