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Référence fabricant
NDC7003P
Dual P-Channel 60 V 5 Ohm SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2537 | ||||||||||
onsemi NDC7003P - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NDC7003P&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ndc7003p-onsemi-1527233
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onsemi NDC7003P - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 700|mW |
| Style d'emballage : | SSOT-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NDC7003P Part Number is a Dual P-Channel enhancement mode power Field effect transistors, are produced using high cell density, DMOS technology.
This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. These device is particularly suited for low voltage, low current, switching, and power supply applications.
Features:
- -0.34 A, -50 V
- RDS(ON) = 5 O @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 7 O @ VGS = -4.7 V
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance trench technology for low RDS(ON)
- SuperSOT™ -6 package: small footprint (72%smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick)
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
- Camcorder
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-6
Méthode de montage :
Surface Mount