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Vishay | SIHF6N65E-GE3

Référence fabricant

SIHF6N65E-GE3

E Series N Channel 700 V 0.6 Ω 48 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-220FP

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SIHF6N65E-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 700V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6Ω
Rated Power Dissipation: 31|W
Qg Gate Charge: 48nC
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
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Total 
1 160,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.16
2 000
$1.15
4 000
$1.14
5 000+
$1.13
Product Variant Information section