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Référence fabricant

STB100N10F7

N-channel 100 V 0.0068 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STB100N10F7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 8mΩ
Rated Power Dissipation: 150|W
Qg Gate Charge: 61nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
1 310,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.31
2 000
$1.30
3 000
$1.29
5 000+
$1.28
Product Variant Information section