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Référence fabricant
STP190N55LF3
55 V 2.9 mOhm 120 A N-Channel STripFET™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STP190N55LF3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP190N55LF3&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp190n55lf3-stmicroelectronics-2023970
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STMicroelectronics STP190N55LF3 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 312W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 18V |
| Drain Current: | 120A |
| Turn-on Delay Time: | 20ns |
| Turn-off Delay Time: | 160ns |
| Rise Time: | 40ns |
| Fall Time: | 40ns |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 6200pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The STP190N55LF3 is a n-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics' unique “single feature size” strip-based process, which has decreased the critical alignment steps, offering remarkable manufacturing reproducibility. The outcome is a transistor with extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
Features:
- Logic level drive
- 100% avalanche tested
Application:
- Switching applications
- Automotive
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole