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STMicroelectronics | STP28N60M2

Référence fabricant

STP28N60M2

Single N-Channel 650 V 0.15 Ω 190 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP28N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 150mΩ
Rated Power Dissipation: 170|W
Qg Gate Charge: 36nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
3 540,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$3.67
150
$3.62
500
$3.57
1 000
$3.54
2 000+
$3.49
Product Variant Information section