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STMicroelectronics | STY139N65M5

Référence fabricant

STY139N65M5

N-Channel 650 V 130 A 17 mOhm Through Hole MDmesh™ V Power Mosfet - Max247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STY139N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.017Ω
Rated Power Dissipation: 625|W
Qg Gate Charge: 363nC
Style d'emballage :  MAX-247
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
14 004,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$23.85
60
$23.72
90
$23.64
150
$23.54
300+
$23.34
Product Variant Information section