text.skipToContent text.skipToNavigation

warning.svgLes commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.
Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.

Truck-Icon.svgLivraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Discrets
  4. Transistors
  5. Silicon Carbide MOSFETs (SiC MOSFETs)
  6. IXSA80N120L2-7TR

Littelfuse - IXYS | IXSA80N120L2-7TR

Référence fabricant

IXSA80N120L2-7TR

1200 V 79 A 39 mOhm Surface Mount Single N-Channel SiC MOSFET - TO-263-7

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2507
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXSA80N120L2-7TR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 79A
Input Capacitance: 3000pF
Power Dissipation: 395W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
5 424,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800+
$6.78
Product Variant Information section