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Manufacturer Part #
BFU590GX
BFU590G Series 12 V 200 mA 2 W NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-223
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| Nombre del Fabricante: | NXP | ||||||||||
| Número de pieza del fabricante: | Product Variant Information section Embalajes disponiblesCant. de paquetes:1000 por Reel Método de montaje:Surface Mount | ||||||||||
| Código de fecha: | |||||||||||
Product Specification Section
NXP BFU590GX - Especificaciones de producto
Información de envío:
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ECCN:
EAR99
Información del CP:
N/D
Archivo
Fecha
Estado del producto:
Obsoleto
Obsoleto
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=es&field2=BFU590GX&field4=NXP&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/bfu590gx-nxp-9054250
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=es&field2=BFU590GX&field4=NXP&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/bfu590gx-nxp-9054250
NXP BFU590GX - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | RF |
| CE Voltage-Max: | 12V |
| Collector Current Max: | 200mA |
| Power Dissipation-Tot: | 2000mW |
| Collector - Base Voltage: | 24V |
| Emitter - Base Voltage: | 2V |
| DC Current Gain-Min: | 60 |
| Collector - Current Cutoff: | 1nA |
| Configuration: | Dual |
| Frequency - Transition: | 8.5GHz |
| Operating Temp Range: | -65°C to +150°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Método de montaje: | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
Plazo de fábrica:
N/A
Cantidad
Precio unitario
1.000
0,475 $
2.000
0,465 $
4.000
0,46 $
5.000+
0,45 $
Product Variant Information section
Embalajes disponibles
Cant. de paquetes:
1000 por Reel
Método de montaje:
Surface Mount