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Référence fabricant

MJD112T4G

MJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2433
Product Specification Section
onsemi MJD112T4G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Darlington
CE Voltage-Max: 100V
Collector Current Max: 2A
Power Dissipation-Tot: 1.75W
DC Current Gain-Min: 500
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
87 500
États-Unis:
87 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
497,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.199
5 000
$0.197
7 500
$0.195
10 000+
$0.193
Product Variant Information section