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Référence fabricant
MJE270G
MJE Series 100 V 2 A NPN Complementary Silicon Power Transistor - TO-225
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Bag Style d'emballage :TO-225 (TO-126, SOT-32) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2420 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MJE270G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MJE270G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mje270g-onsemi-7337041
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onsemi MJE270G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | Power Transistor |
| CE Voltage-Max: | 100V |
| Collector Current Max: | 2A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.5W |
| DC Current Gain-Min: | 500 |
| Style d'emballage : | TO-225 (TO-126, SOT-32) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The MJE270G is a Complementary Silicon Power Transistor with Collector−Emitter Voltage of 100 V, available in a TO-225 package.
Features:
- High Safe Operating Area: IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A
- Collector−Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
- High DC Current Gain: hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min)
- Pb−Free Packages are Available
Applications:
- Switching Applications
Pricing Section
Stock global :
207
États-Unis:
207
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.31
100
$0.30
300
$0.295
1 000
$0.29
3 000+
$0.275
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Bag
Style d'emballage :
TO-225 (TO-126, SOT-32)
Méthode de montage :
Through Hole