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Référence fabricant
STGB15M65DF2
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2532 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGB15M65DF2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGB15M65DF2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgb15m65df2-stmicroelectronics-7130841
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STMicroelectronics STGB15M65DF2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 30A |
| Power Dissipation-Tot: | 136W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 60A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.55V |
| Turn-on Delay Time: | 24ns |
| Turn-off Delay Time: | 93ns |
| Qg Gate Charge: | 45nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 142ns |
| Leakage Current: | 250nA |
| Input Capacitance: | 1250pF |
| Thermal Resistance: | 62.5°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.835
2 000
$0.825
3 000
$0.82
4 000
$0.815
5 000+
$0.80
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount