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Référence fabricant
DMN3065LW-7
Single N-Channel 30 V 85 mOhm 5.5 nC 770 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-323
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-323 (SC-70) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2338 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN3065LW-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN3065LW-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn3065lw-7-diodes-incorporated-8053074
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Diodes Incorporated DMN3065LW-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 85mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 770mW |
| Qg Gate Charge: | 5.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | 4A |
| Turn-on Delay Time: | 1.9ns |
| Turn-off Delay Time: | 10.3ns |
| Rise Time: | 1.6ns |
| Fall Time: | 2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 2.2mm |
| Input Capacitance: | 465pF |
| Style d'emballage : | SOT-323 (SC-70) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0799
9 000
$0.0779
15 000
$0.0771
45 000
$0.0752
75 000+
$0.0735
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage :
Surface Mount