Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
IPL60R125C7AUMA1
Single N-Channel 600 V 125 mOhm 34 nC CoolMOS™ Power Mosfet - ThinPak 8x8
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPL60R125C7AUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPL60R125C7AUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipl60r125c7auma1-infineon-4074479
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPL60R125C7AUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipl60r125c7auma1-infineon-4074479
Infineon IPL60R125C7AUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 125mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 103|W |
| Qg Gate Charge: | 34nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
39 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.91
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount