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Référence fabricant

IPW60R041C6FKSA1

Single N-Channel 650 V 41 mOhm 290 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2534
Product Specification Section
Infineon IPW60R041C6FKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.041Ω
Rated Power Dissipation: 481W
Qg Gate Charge: 290nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 77.5A
Turn-on Delay Time: 23ns
Turn-off Delay Time: 130ns
Rise Time: 10ns
Fall Time: 7ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.5V
Technology: CoolMOS
Height - Max: 21.1mm
Length: 16.13mm
Input Capacitance: 6530pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
240
Multiples de :
30
Total 
1 941,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
240
$8.09
480
$8.05
720
$8.03
960+
$8.00
Product Variant Information section