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Vishay | SI7625DN-T1-GE3

Référence fabricant

SI7625DN-T1-GE3

P-Channel 30 V 7 mΩ 5126 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2602
Product Specification Section
Vishay SI7625DN-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 7mΩ
Rated Power Dissipation: 52|W
Qg Gate Charge: 126nC
Style d'emballage :  POWERPAK-1212-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
12 000
États-Unis:
12 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
4 860,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.62
Product Variant Information section