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STMicroelectronics | STB28NM60ND

Référence fabricant

STB28NM60ND

Single N-Channel 600 V 0.15 Ω 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1429
Product Specification Section
STMicroelectronics STB28NM60ND - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.15Ω
Rated Power Dissipation: 190|W
Qg Gate Charge: 62.5nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 070,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$3.07
2 000+
$3.03
Product Variant Information section