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Référence fabricant

STL3NM60N

N-Channel 600 V 1.8 Ohm MDmesh™ II Power Mosfet - PowerFLAT

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STL3NM60N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.8Ω
Rated Power Dissipation: 22|W
Qg Gate Charge: 9.5nC
Style d'emballage :  POWER FLAT
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
2 460,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.82
6 000
$0.81
9 000+
$0.80
Product Variant Information section