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STMicroelectronics | STL8N6F7

Référence fabricant

STL8N6F7

STL8N6F7 Series 60V 8 A N-Channel STripFET™ F7 Power Mosfet-PowerFlat™ (3.3x3.3)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STL8N6F7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 23mΩ
Rated Power Dissipation: 60W
Qg Gate Charge: 8nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 36A
Turn-on Delay Time: 7.85ns
Turn-off Delay Time: 12.1ns
Rise Time: 3.25ns
Fall Time: 3.95ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 420pF
Style d'emballage :  POWER FLAT
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. 
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
24 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 155,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.385
6 000
$0.38
12 000
$0.375
15 000+
$0.37
Product Variant Information section