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Référence fabricant
STP13NM60ND
N-Channel 600 V 380 mOhm Flange Mount FDmesh II Plus Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 1322 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP13NM60ND - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP13NM60ND&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp13nm60nd-stmicroelectronics-7051921
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STMicroelectronics STP13NM60ND - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.38Ω |
| Rated Power Dissipation: | 109W |
| Qg Gate Charge: | 24.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 11A |
| Turn-on Delay Time: | 46.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 9.6ns |
| Rise Time: | 10ns |
| Fall Time: | 15.4ns |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 845pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
170
États-Unis:
170
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.44
2 000
$1.43
3 000
$1.42
5 000+
$1.40
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole