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STMicroelectronics | STW40N65M2

Référence fabricant

STW40N65M2

N-Channel 650 V 32 A 99 mOhm Through Hole MDmesh™ M2 Power Mosfet - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW40N65M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 99mΩ
Rated Power Dissipation: 250|W
Qg Gate Charge: 56.5nC
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
1 812,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$3.12
120
$3.07
450
$3.02
750
$3.00
1 500+
$2.95
Product Variant Information section