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onsemi | NTH4L014N120M3P

Référence fabricant

NTH4L014N120M3P

N-Channel 1200 V 151 A 686 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTH4L014N120M3P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 127A
Input Capacitance: 6230pF
Power Dissipation: 686W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
2 700
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
450
Multiples de :
450
tariff icon
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Total 
8 725,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
450+
$19.39
Product Variant Information section