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Infineon | BSZ42DN25NS3GATMA1

Référence fabricant

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2334
Product Specification Section
Infineon BSZ42DN25NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 250V
Drain-Source On Resistance-Max: 425mΩ
Rated Power Dissipation: 33.8W
Qg Gate Charge: 5.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 5A
Turn-on Delay Time: 3ns
Turn-off Delay Time: 8ns
Rise Time: 2ns
Fall Time: 8ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 430pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
2 575,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.515
10 000+
$0.505
Product Variant Information section