Référence fabricant
BC33725BU
BC337 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-92
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Bag Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2520 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi BC33725BU - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi BC33725BU - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| CE Voltage-Max: | 45V |
| Collector Current Max: | 800mA |
| Power Dissipation-Tot: | 625mW |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The BC33725BU is a BC337 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor in a TO-92 .Device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA.
Product Features:
- Three terminals namely Base,Emitter and Collector
- Switching and Amplifier Applications
- Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
- Complement to BC327/BC328
- Storage Temperature is 55 ~ 150 °C
View the BC337 series of Transistors
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.0412
750
$0.04
2 000
$0.0391
7 500
$0.0379
20 000+
$0.0359
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par Bag
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole