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Référence fabricant
MJ11033G
MJ Series 120 V 50 A PNP High Current Darlington Silicon Transistor - TO-204
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :100 par Tray Style d'emballage :TO-3 (TO-204) Méthode de montage :Screw Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2511 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MJ11033G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MJ11033G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mj11033g-onsemi-7563398
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onsemi MJ11033G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | PNP |
| Type: | Darlington |
| CE Voltage-Max: | 120V |
| Collector Current Max: | 50A |
| DC Current Gain-Min: | 1000 |
| Style d'emballage : | TO-3 (TO-204) |
| Méthode de montage : | Screw Mount |
Fonctionnalités et applications
These Bipolar Power Darlington Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features:
- High DC Current Gain
- hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
- hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
- Curves to 100 A (Pulsed)
- Diode Protection to Rated IC
- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
- Junction Temperature to +200°C
- Pb-Free Packages are Available
Pricing Section
Stock global :
400
États-Unis:
400
Sur commande :
0
Délai d'usine :
29 Semaines
Quantité
Prix unitaire
100
$7.00
200
$6.96
300+
$6.92
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
100 par Tray
Style d'emballage :
TO-3 (TO-204)
Méthode de montage :
Screw Mount
