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Référence fabricant

MJE200G

MJE Series 40 V 5 A NPN Complementary Silicon Plastic Power Transistor - TO-225

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2421
Product Specification Section
onsemi MJE200G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Power Transistor
CE Voltage-Max: 40V
Collector Current Max: 5A
Power Dissipation-Tot: 1.5W
DC Current Gain-Min: 70
Style d'emballage :  TO-225 (TO-126, SOT-32)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.

Features:

  • Collector-Emitter Sustaining Voltage
    • VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
  • High DC Current Gain
    • hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
    • hFE = 45 (Min) @ IC = 2.0 Adc
    • hFE = 10 (Min) @ IC = 5.0 Adc
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    • VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
    • VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
  • High Current-Gain - Bandwidth Product
    • fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
  • Annular Construction for Low Leakage
    • ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB
  • Pb-Free Packages are Available
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
855,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$0.32
100
$0.315
300
$0.305
1 000
$0.30
3 000+
$0.285
Product Variant Information section