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Infineon | BSS127H6327XTSA2

Référence fabricant

BSS127H6327XTSA2

Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2402
Product Specification Section
Infineon BSS127H6327XTSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 500Ω
Rated Power Dissipation: 500mW
Qg Gate Charge: 0.65nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 21mA
Turn-on Delay Time: 6.1ns
Turn-off Delay Time: 14ns
Rise Time: 9.7ns
Fall Time: 115ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2V
Input Capacitance: 21pF
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
270 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
177,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.059
6 000
$0.058
9 000
$0.0574
12 000
$0.057
15 000+
$0.0556
Product Variant Information section