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Référence fabricant
DMG3415UFY4Q-7
DMG3415UFY4Q Series 16 V 2.5 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - DFN2015
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMG3415UFY4Q-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmg3415ufy4q-7-diodes-incorporated-4095288
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Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 16V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 39mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.65W |
| Qg Gate Charge: | 10nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 2.5A |
| Turn-on Delay Time: | 79ns |
| Turn-off Delay Time: | 885ns |
| Rise Time: | 175ns |
| Fall Time: | 568ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.55V |
| Input Capacitance: | 282pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.138
9 000
$0.135
30 000
$0.133
45 000+
$0.131
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount