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Référence fabricant
DMN3150LW-7
N-Channel 28 V 88 mOhm Enhancement Mode Field Effect Transistor
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN3150LW-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN3150LW-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn3150lw-7-diodes-incorporated-7010629
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Diodes Incorporated DMN3150LW-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 28V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 88mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 350|mW |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.125
9 000
$0.123
30 000
$0.121
45 000+
$0.119
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel