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Référence fabricant

FDD4685

Single P-Channel 40 V 69 W 27 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2530
Product Specification Section
onsemi FDD4685 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 42mΩ
Rated Power Dissipation: 69W
Qg Gate Charge: 27nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 8.4A
Turn-on Delay Time: 8ns
Turn-off Delay Time: 34ns
Rise Time: 27ns
Fall Time: 27ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: Si
Height - Max: 2.39mm
Length: 6.73mm
Input Capacitance: 1790pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDD4685 is a -40 V 27 mΩ P-Channel PowerTrench Mosfet Available in a TO-252 Package .

This P-Channel MOSFET are made using PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and good switching characteristic offering superior performance in application.

Features:

  • Max rDS(on) = 27mΩ at VGS = -10V, ID = -8.4A
  • Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = -4.5V, ID = -7A
  • High performance trench technology for extremely low rDS(on)
  • RoHS Compliant

Applications:

  • AC-DC Merchant Power Supply - Video game console, flat Panel TV, DVR, STB
  • External AC-DC Merchant Power Supply - Wireless Communications
  • Wireless LAN Access Point/Router
  • Server & Mainframe
  • Media Tablets
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
862,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.345
5 000
$0.34
7 500
$0.335
12 500+
$0.33
Product Variant Information section