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Référence fabricant

IAUCN04S7N004ATMA1

N-Channel 40 V 175 A 219 W Surface Mount AAutomotive Mosfet - PG-TDSON-8-53

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IAUCN04S7N004ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.44mΩ
Rated Power Dissipation: 219W
Qg Gate Charge: 169nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 175A
Turn-on Delay Time: 20ns
Turn-off Delay Time: 45ns
Rise Time: 12ns
Fall Time: 24ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Input Capacitance: 11310pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
5 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
7 900,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
5 000+
$1.58
Product Variant Information section