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Référence fabricant
IPP60R190P6XKSA1
Single N-Channel 600 V 190 mOhm 37 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP60R190P6XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP60R190P6XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp60r190p6xksa1-infineon-6064728
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Infineon IPP60R190P6XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 151W |
| Qg Gate Charge: | 37nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 20.2A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 45ns |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 9.45mm |
| Length: | 10.36mm |
| Input Capacitance: | 1750pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$1.02
1 000
$0.995
2 000
$0.985
2 500
$0.98
7 500+
$0.955
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole