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Référence fabricant

IRFL014NTRPBF

Single N-Channel 55 V 0.16 Ohm 7 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFL014NTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.16Ω
Rated Power Dissipation: 2.1|W
Qg Gate Charge: 7nC
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
397,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.159
7 500
$0.156
25 000
$0.153
37 500+
$0.151
Product Variant Information section