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Référence fabricant
IRLHS6242TRPBF
Single N-Channel 20V 11.7 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :PQFN 2 x 2 mm Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLHS6242TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLHS6242TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlhs6242trpbf-infineon-5178193
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Infineon IRLHS6242TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.98W |
| Qg Gate Charge: | 14nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 5.8ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 13ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.8V |
| Input Capacitance: | 1110pF |
| Style d'emballage : | PQFN 2 x 2 mm |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.156
8 000
$0.154
12 000
$0.153
20 000
$0.152
40 000+
$0.149
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN 2 x 2 mm
Méthode de montage :
Surface Mount