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Référence fabricant


Single N-Channel 30 V 0.4 Ohm 5 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date: 2324
Product Specification Section
Infineon IRLML2803TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.4Ω
Rated Power Dissipation: 540mW
Qg Gate Charge: 5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 1.2A
Turn-on Delay Time: 3.9ns
Turn-off Delay Time: 9ns
Rise Time: 4ns
Fall Time: 1.7ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1V
Technology: Si
Height - Max: 1.02mm
Length: 3.04mm
Input Capacitance: 85pF
Style d'emballage :  MICRO-3
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
The IRLML2803TRPBF is a 30 V drain-to-source voltage, 540 W power dissipation and 3.3 nC gate charge single N-Channel hexfet power mosfet. It is available in surface mount MICRO-3 package.

These HEXFETs utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.


  • Generation V technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • N-Channel MOSFET
  • SOT-23 Footprint
  • Low Profile(<1.1 mm)
  • Available in tape and reel
  • Fast switching
  • Lead-Free
Pricing Section
Stock global :
1 026 000
840 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
186 000
Sur commande :Order inventroy details
126 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
Délai d'usine :
Commande minimale :
Multiples de :
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
177,30 $
Prix Internet
3 000
9 000
15 000
45 000
75 000+