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Référence fabricant
NTZD3152PT1G
Dual P-Channel 20 V 500 mOhm 250 mW Small Signal MOSFET - SOT-563
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOT-563 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2414 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTZD3152PT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTZD3152PT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ntzd3152pt1g-onsemi-6918668
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onsemi NTZD3152PT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 900mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 250|mW |
| Qg Gate Charge: | 2.5nC |
| Style d'emballage : | SOT-563 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NTZD3152PT1G is a part of NTZD3152P series P-channel small signal MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SOT-563-6 package.
Features:
- Low RDS(on) Improving System Efficiency
- Low Threshold Voltage
- ESD Protected Gate
- Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
- These are Pb−Free Devices
Applications:
- Load/Power Switches
- Power Supply Converter Circuits
- Battery Management
- Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.
Pricing Section
Stock global :
8 000
États-Unis:
8 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.0589
12 000
$0.0575
20 000
$0.0569
60 000
$0.0555
100 000+
$0.0543
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-563
Méthode de montage :
Surface Mount