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Référence fabricant
PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8 Series 100 V 4.8 mOhm 278 nC N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia PSMN4R8-100BSEJ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=PSMN4R8-100BSEJ&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/psmn4r8-100bsej-nexperia-8062954
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Nexperia PSMN4R8-100BSEJ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 405W |
| Qg Gate Charge: | 278nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 120A |
| Turn-on Delay Time: | 41ns |
| Turn-off Delay Time: | 127ns |
| Rise Time: | 65ns |
| Fall Time: | 69ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 4.5mm |
| Length: | 10.3mm |
| Input Capacitance: | 10665pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
800+
$4.74
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount