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Référence fabricant

SI3585CDV-T1-GE3

Dual N / P-Channel 20 V 0.058/0.195 Ω 4.8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2521
Product Specification Section
Vishay SI3585CDV-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V/-20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.058Ω/0.195Ω
Rated Power Dissipation: 1.1|W
Qg Gate Charge: 1.6nC/2.9nC
Style d'emballage :  SC-74 (TSOP-6)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
27 000
États-Unis:
27 000
Sur commande :Order inventroy details
3 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
44 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
516,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.172
6 000
$0.17
12 000
$0.168
15 000
$0.167
45 000+
$0.164
Product Variant Information section