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STMicroelectronics | STP6N62K3

Référence fabricant

STP6N62K3

N-Channel 620 V 1.2 Ohm SuperMESH3™ Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2444
Product Specification Section
STMicroelectronics STP6N62K3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 620V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.2Ω
Rated Power Dissipation: 90|W
Qg Gate Charge: 25.7nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
945,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.01
200
$0.975
1 000
$0.945
2 000
$0.93
6 250+
$0.90
Product Variant Information section