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Référence fabricant
SCT020W120G3-4AG
1200 V 100 A 28 mOhm Single N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET - HiP247-4
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT020W120G3-4AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct020w120g3-4ag-stmicroelectronics-2182973
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STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 100A |
| Input Capacitance: | 3465pF |
| Power Dissipation: | 541W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +200°C |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30+
$15.76
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Méthode de montage :
Through Hole