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Référence fabricant
MSCSM120AM11T3AG
SiC Module, 1200V, 254A, 0084MOHM, 2 N Channel, SP3F
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| Nom du fabricant: | Microchip | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
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Microchip MSCSM120AM11T3AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change:Qualification of MP3B as new assembly site for selected Microsemi APTxx, CMxx, and MSCxx device families available in SP3F package.Reason for Change:To improve on time delivery performance by qualifying MP3B as a new assembly site.Change Implementation Status:In ProgressEstimated Qualification Completion Date:May 2023
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MSCSM120AM11T3AG&field4=Microchip&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/mscsm120am11t3ag-microchip-5190963
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MSCSM120AM11T3AG&field4=Microchip&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/mscsm120am11t3ag-microchip-5190963
Microchip MSCSM120AM11T3AG - Caractéristiques techniques
| Type: | Phase Leg SiC MOSFET |
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 23V |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 254A |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Méthode de montage :
Chassis Mount