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Référence fabricant

BSS209PWH6327XTSA1

Single P-Channel 20 V 550 mOhm 1 nC OptiMOS™ Small Signal Mosfet - SOT-323

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSS209PWH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 550mΩ
Rated Power Dissipation: 300mW
Qg Gate Charge: 1nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 12V
Drain Current: 0.63A
Turn-on Delay Time: 2.6ns
Turn-off Delay Time: 6ns
Rise Time: 7ns
Fall Time: 4.6ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 0.9V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 87pF
Style d'emballage :  SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Commande minimale :
12000
Multiples de :
3000
Total 
362,40 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0312
9 000
$0.0304
12 000
$0.0302
30 000
$0.0296
45 000+
$0.029